1079元512G超本M2升级选择：LITEON 建兴 T11 512GB SSD固态硬盘 开箱评测

购买理由

最近发现身边一个朋友的THINKPAD X260自己加了一块SSD，出现了一些莫名的问题。

其实X260这个机器还是出来比较早的了，内置了一个SATA一个M.2的插槽

但是拆开看这个M.2会发现竟然这个长度不是我们常见的2280长度而是2242。

朋友不管3721直接买了一块创见的M.2 2242 SATA6G的128GB SSD插上去

发现竟然X260不认盘

系统里也找不到创见SSD，真让人懵逼了。

其实究其原因还是因为X260的M.2 2242插槽仅仅支持PCIE GEN3 X2的NVME SSD，虽然X260上市的时候，世面还没有M.2 2242长度的NVME SSD，但是这个本子却奇葩的支持了，而且是仅仅支持PCIE GEN3 X2 的NVME SSD并且不支持SATA6G的M.2 SSD。

那我再把M.2 SSD中2280长度和2242长度的分一下接口和协议：

2280长度的M2 SSD分为三种：

2280 PCIE GEN3 X4 NVME

2280 PCIE GEN3 X4 AHCI

2280 SATA6G

这里面除了2280 PCIE GEN3 X4 AHCI的SSD我仅仅见过一个SM951 AHCI版本以外其他的都很普遍，都可以轻松购买到。

2242长度的M.2 SSD分为两种：

2242 PCIE GEN3 X2 NVME

2242 SATA6G

这里面2242 SATA6G是可以随便买到的，但是2242 PCIE GEN3 X2 NVME的SSD却真是的凤毛麟角难得一见。

带宽的话，PCIE GEN3 X2是2000MB/S，PCIE GEN3 X4是4000MB/S，而SATA6G只有600MB/S。

那么现在说回刚才的话题，X260这个问题其实也不是个例存在，除了X260以外联想的ThinkPad X270、T470T470p、T570、P51s；Ideapad 320、320s、520、Y520、720s、700以及华为MateBook X都是仅仅支持M.2 2242的SSD，而这其中仅仅支持NVME的M.2 2242 SSD的本子对于想为自己笔记本加装第二块M.2 SSD的人来说简直是个噩梦。

当我打开京东搜2242 SSD会出来600多个商品

当选择M.2会只剩下100多件商品

当选择M.2 NVME会只剩下一款产品，LITEON T11

而这个盘也不是随便乱买的，128GB是2280长度而且没有马甲，只有256GB和512GB才是2242长度并且有加装2280延长散热片的。

所以面对X260要加装第二块SSD的时候，是几乎没有什么选择的，在京东买的话也只有LITEON T11 256/512GB可以满足需求了，而且这个价格我个人觉得并不便宜，比大家公认的T10价格也差不了多少，而且规格参数性能包括接口都大为打折，PCIE GEN3 X2的接口速度，加上偏低的持续和随机读写速度，而且价格还真的不比高速读写的T10便宜。

外观展示

包装双面

内盒附件有螺丝刀一只，螺丝一个以及M2垫片一只

T11 的散热片从质地和重量上明显优于T10的，红色的配色也迎合了当前PC配色的流行趋势，

PCIE GEN2 X2的M.2接口KEY是和大部分的M.2 SATA6G的盘一样的B+M KEY，而普通PCIE GEN3 X4的M.2 NVME都是M KEY接口。

一看SSD的背面就顿时有想笑喷的感觉，硬是将2242长度的盘体用散热片强制延长成为2280长度，为了适配2280的M.2插槽孔位。

2242盘体和散热片并没有螺丝结合，轻轻一推即可分离

T11 512GB的2242本体

用镊子即可轻轻取下贴标的标签，只要不破坏不会影响质保的，盘体背面仅有一颗BGA封装的TOSHIBA NAND，编号为TH58TFT1UHLBAEG，这一颗闪存PLEXTOR也使用过，TOSHIBA 15NM 2D TLC，容量256GB。

盘体的正面有一颗相同的NAND，另有一颗SKhynix H5TC4G63CFR的512MB DDR3L 1600的缓存，与一颗主控PHISON PS5008-E8。

使用感受

测试平台：

主板：华擎Z370M ITX/AC

处理器：INTEL I7 8700K（开盖换液金）

DRAM：芝奇 幻光戟 DDR4 3200 C14 8GBX2

图形：EVGA GTX1060 6GB SC

电源：台达FLEX 400W金牌

机壳：ZS-A4M

散热器：猫头鹰L9I

系统盘：INTEL DC S3500 800G

操作系统：Microsoft Windows 10 PRO X64 1703

安装好T11之后，准备测试

上机之后，这个盘一样需要在设备管理器的属性里面点击“关闭设备上的WINDOWS写入高速缓存告诉缓冲区刷新”。

到手的固件版本是1.0。可以通过建兴的SSDXFLASH工具在WIN下升级到2.0版本固件。

首先用AS SSD BENCHMARK随便压了一下1GB 3GB 5GB 10GB数据块大小：

0%空盘容量下，数据块越大，对SEQ持续写入和4K-64Thrd随机64队列深度写入影响也越大，这个2D TLC都是这个德行，倒是没什么意外，但是读取部分和4K写入部分轻微衰减。

首先是持续测试(Seq)，AS SSD会先以16MB的尺寸为单位，持续向受测分区写入生成1个达到1GB大小的文件，然后再以同样的单位尺寸读取这个，最后计算平均成绩而给出结果。测试一完毕，测试文件会立刻删除。

再来是随机单队列深度测试(4K)，测试软件会以512KB的单位尺寸生成1GB大小的测试文件，然后在其地址范围(LBA)内进行随机4KB单位尺寸进行写入及读取测试，直到跑遍这个范围为止，最后同样计算平均成绩给出结果。由于有生成步骤，本测试对硬盘会产生一共2GB的数据写入量。本测试完毕后，测试文件会暂时保留。

到随机64队列深度测试(4K-64Thrd)，软件则会生成64个16MB大小的测试文件(共计1GB)，然后同时以4KB的单位尺寸，同时在这64个文件中进行写入和读取测试，最后依然以平均成绩为结果。本步骤也同样产生2GB的数据写入量。本测试一完毕，测试文件会立刻删除。

接着是数据存取时间测试(Acc.time)，软件会以4KB为单位尺寸，随机读取全盘地址范围(LBA)，写入则以512B为单位尺寸，随机写入保留的1GB地址范围内，最后以平均成绩给出结果。----百度

90%满盘容量下，可以发现和空盘相比，最受到影响的是4K写入效能，从空盘的100 MB/S以上被打到4X MB/S。

然后我用CRYSTAL DISKMARK再去压了一次数据，选了1GB 4GB 16GB 32GB四个数据块大小进行测试。

0%空盘容量下 和前面AS SSD BENCHMARK结果差不多，随着数据块增大，持续写入和4K QD32的写入效能 发生降低。读取部分和4K写入部分轻微衰减变化不大。

90%满盘容量下，4K写入效能和前面一样被大大削弱，衰减程度和前面一样。

所以这个盘简单来说，写了数据之后的4K写入效能是会发生严重衰减的，而一旦测试数据块变大，持续写入效能也会跟着衰减。相对稳定的只有读取部分，明显的读取取向的SSD产品。

然后我用HDTUNE在RAW格式下检测了一下全盘持续写入和读取的效能衰减趋势。

读取是一直很稳定几乎一条线到底，平均值708.3MB/S

写入的话，开始一段是SLC Cache轨迹的高峰值，爆了SLC Cache之后，就开始大幅下降，并且呈剧烈的上下振动图形，一直在72~550MB/S之间震荡，平均在194MB/S。

老牌软件HD TACH RW版本测试的趋势和HDTUNE差不多，只不过数据更低一些，读取平均在524.4MB/S 写入在158MB/S附近。

所以这个盘的持续读写效能，应该和TLC的SATA盘差不多，高也高不了太多，持续读取很稳健能保持峰值稳定，而持续写入效能就会高高低低的不停来回震荡，感觉上和固件激进的垃圾回收机制有关。

所以这个盘如果你连续测试AS SSD BENCHMARK的话，只要爆掉SLC Cache之后，写入部分就会一下低一下高，给人的感觉就是写入部分不是很稳定，但是读取部分是没有问题的。

下面将要进行的是最大带宽测试和离散度测试，测试之前的预处理手法是：

* 清洗：安全擦除即SECURE EARSE

* 预热：使用IOMETER在128K持续写入双倍SSD容量

最大带宽测试

最大带宽测试其实是我对官标的一个验证测试，每个SSD都有自己的性能评估标准，而我们用类似的评估手法去评测性能，判定是否达到官方标称的性能参数。

使用IOMETER对128K进行持续读写，对4K进行随机读写，深度均为QD1-128，每个深度一分钟，统计最大值，列表。

由于手头上正好有T10 480GB，所以就一起测试比较一下。

T11 512GB 4K 随机写入最大带宽是137452 IOPS4K随机写入QD1-128的进程中，速度稳步上升到QD128，但和自己的师兄T10 480GB没得比

T11 512GB 4K 读取写入最大带宽是167947 IOPS
4K随机写入QD1-16的进程中，和T10 480G差不多，但从QD16-128深度中，妥妥被师兄超越和压制。

T11 512GB 128K 持续写入最大带宽是1061MB/S，QD1-QD128缓慢上升，随后在QD128达到最高峰值1061MB/S，但是一直被同门TOSHIBA 15NM 2D MLC的T10 480GB压制死死无法翻身。

T11 512GB 128K 持续读取最大带宽是1693MB/S，结果一样被T10 480GB压制

然后我们再次拿出官标的参数来看下，
官标最大化持续读：1500 MB/S 实测：1693MB/S
官标最大化持续写：1100 MB/S 实测：1061MB/S
官标最大化随机读：160K IOPS 实测：168K IOPS
官标最大化随机写：140K IOPS 实测：137K IOPS
基本可以说，官标达标。

但是仅仅从最大带宽来看，T11被T10压着被打趴下是没有问题的，毕竟接口带宽就差了一倍。

离散度测试

4K QD32 随机写入5000秒

当4K随机写入效能从43K IOPS跌下这一段是SLC Cache的轨迹，随后便是真实的高压下的4K随机写入效能，平均数值在2421 IOPS，最低下潜在1900IOPS附近，平均延迟密集分布在13MS附近，而最高的平均延迟在18.5MS附近。

4K QD32 随机读取5000秒

4K随机读取测试倒是如意料之中的雷打不动一条直线，稳定在115K IOPS，平均延迟0.3MS雷打不动。

128K QD32 持续写入5000秒

128KB的持续写入相对来说我觉得不稳，主动GC的锯齿浮动存在，在920~80MB/S附近不停的大幅抖动，平均189MB/S，平均延迟也不够稳定在5~63ms之间不停抖动，平均在21.07ms

128K QD32 持续读取5000秒

128K持续读取倒是意料中的的曲线，930MB/S的平均读取速度和4.5MS的平均延迟，非常的稳健。

离散度测试主要看一下这个盘的稳定性如何，从这个环节可以看出和以上所有测试类似的结果，就是涉及读都稳定，只要涉及写入环节，无论是持续还是随机，都会以主动GC恢复写入性能为固件的首要任务去进行操作，所以这个盘，每测一次，随机或者持续写入的速度都是不同的，而且时刻在不停的变化中。我相信这也是很多买了这个盘的消费者共同的感受。

不过群联主控的写入抖动并不仅仅出现在PS5008主控上面，PS5007主控一样有这个问题，只不过振幅没这么大而已。

这个测试令人稍微心安的是，写入没有抖动到0点的出现，说明虽然固件虽然写的一般般但是也没有明显的BUG存在，读取部分是没有任何问题的。

温度

温度来说，待机46度

在进行128KB QD32深度持续写入的测试中，也是全程温度最高的一段测试，满载温度在59度左右，感觉还是可以接受，放进去超极本里面，去掉马甲，大概要增加个6-8度附近，仍属可以接受范围。

总结

1、如果要在台式机或者笔记本上使用M.2 2280规格的NVME SSD的话，T10会比T11更快更稳定，LITEON的命名数字规则不代表任何含义，T10肯定比T11高一个规格，所以对写入性能有要求的消费者要在T10和T11中做抉择，可以毫不犹豫选择T10。

2、如果要在类似X260这类的只支持M.2 2242 NVME SSD的插槽的笔记本里增配一块SSD的话，除了T11你几乎没有更好的选择，遇到刚需你还是必须得买这块。虽然写入性能不令人满意，但是至少读取还是非常稳健的，而且是正片。三年包换至少比一些OEM货要令人放心一些。

3、关于价格：

建兴(LITEON) 睿速系列 T11 512G M.2 NVMe固态硬盘（带散热片）1499元M.2 2242 NVME SSD 京东去购买

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其实无论是京东还是天猫，已经找不到M.2的512GB NVME SSD的价格低于1200块的了，1079其实刚需可入。