STH4618SP完美替代EFC4618R双N沟道功率MOS,20V6A,内阻15mΩ

值友3203834139 07-21 17:57 关注

STH4618SP使用先进的沟槽技术提供优秀的RSS(ON)、低门充电和低至2.5V的操作,同时保持12VVGS(MAX)额定电压。它受到了ESD的保护。该装置适用于单向或双向负载开关,方便其共同负载配置。


STH4618SP完美替代EFC4618R双N沟道功率MOS,20V6A,内阻15mΩ


最低包装数量:3000PCS每盘

应用:锂离子电池充放电开关

源极到源极电压:20V

栅极到源极电压:±12V

源极电流(直流电):6A

源极电流(脉冲):60A

总损耗:1.6W

沟道温度:150℃


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