可与NANO SIM卡共享卡槽:江波龙电子联合长江存储发布 nCARD 存储卡
长江存储在4月13日宣布他们128层堆叠的3D闪存研发成功,有X2-6070这款拥有目前业界已知最大单位面积存储密度、最高I/O传输速度以及最高单颗NAND存储芯片容量的3D QLC,以及128层堆叠的3D TLC X2-9060,新的产品采用Xtacking 2.0架构,进一步释放3D闪存的潜能,X2-6070是128层堆叠的1.33Tb 3D QLC,而X2-9060则是是128层堆叠的512Gb 3D TLC,都是基于电荷俘获型(Charge-Trap)存储技术,它们均可在1.2V Vccq电压下实现1.6Gbps的数据传输速率,是当前业界最高。
而现在江波龙表示,长江存储的128层3D NAND 512Gb将用于旗下雷克沙的nCARD产品上,通过高堆叠16 die工艺,明年上半年可实现1TB容量的量产,具备了存储终端介质的优势条件,加速手机存储卡TB时代的到来,而未来在尺寸、读写速度、安全性等更多拓展上,将会带来更多可能。
nCARD是雷克沙在今年3月2日发布的全新形态存储卡,与MicroSD存储卡相比,完全相同的尺寸下体积减小45%,可与NANO SIM卡共享卡槽,目前,该产品已通过性能、品质测试,并已做好量产准备。
雷克沙nCARD的读取速度高达90MB/s,写入速度高达70MB/s,高IOPS响应让手机运行更顺畅,释放设备全速性能,并提供64GB/128GB/256GB多种存储容量,匹配不同的市场需求。
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