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硬件最前线 篇四十一：三星Memory Tech Day 2023介绍的新技术
2023-10-22 08:51:06
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三星在其2023年Memory Tech Day上正式推出了一系列下一代内存技术，其中包括HBM3E、GDDR7、LPDDR5x CAMM2等。
HBM3E "Shinebolt"内存： 这款内存具有惊人的9.8 Gbps每引脚速度，可实现超过1.2 TBps的传输速率。为了提高层叠和热特性，三星优化了其非导电薄膜（NCF）技术，消除了芯片层之间的间隙，最大限度地提高了热导率。该内存用于下一代人工智能应用，提高了数据中心内人工智能模型训练和推断的速度。
GDDR7内存： 与当前最快的24 Gbps GDDR6 DRAM相比，GDDR7提供了40%的性能提升和20%的功耗效率改善。其速度可达到32 Gbps，带宽可达1.5 TB/s，这是GDDR6的33%改进。GDDR7还为高速工作负载优化了技术，并提供了用于功耗节约的低操作电压选项。
3.LPDDR5x CAMM2内存： 这是行业首款7.5 Gbps的LPDDR5x CAMM2内存，被认为将在下一代PC和笔记本电脑DRAM市场引发重大变革。它支持高性能、高容量、低功耗和小尺寸。
此外，三星还展示了其他内存解决方案，包括LLW DRAM（专为设备上的人工智能设计）、下一代Universal Flash Storage（UFS）和高容量Quad-Level Cell（QLC）SSD BM9C1（用于个人电脑）。这些技术的推出标志着三星在内存领域的创新，为未来的计算和移动设备提供了更强大的性能和效率。
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