三星C-die:续写传奇,或是“电子垃圾”?
说到业界知名的存储品牌,“三星电子”或许是爱好者脑海中浮现的第一个名字:凭借DDR4世代的出色表现,三星内存的品质深入人心。
在世代初期,三星便凭借其“Bdie”颗粒一举成名:作为掀开序幕的第一代产品,它不仅使对手们相形见绌,更令世人为之惊叹。凭借那优秀的耐压能力、无出其右的时序水准,时至今日,Bdie仍是顶尖性能的象征。
然而,“超频能力”并不是内存唯一的参数,技术的变革不会止息。随着Bdie所采用的20nm制程逐渐落后,三星也研制着多款换代产品——代号为“Pascal”的Cdie内存颗粒,便是其中之一。
承接三星Bdie之后,Cdie是否能再创传奇?在接下来的测试中,就让我们一窥这款颗粒的真正实力吧。
分析与测试
测试CPU:AMD Ryzen R7-3800X
主板平台:ASUS PRIME X570-PRO
参与测试的内存来自海盗船,隶属于入门级的VENGEANCE LPX产品系列。贴纸上的“Ver 4.32”标识,正揭示了其颗粒的型号。
三星Cdie并不是最近才上市的冷门颗粒,但台风软件的识别结果仍然值得一提:意料之外,情理之中,依靠SPD数据进行“合理猜测”的它,又一次将“Cdie”识别为了“Bdie”。望着“Boltzmann/20nm”的鉴别结果,实在令人哭笑不得。
事实上,作为昔日传奇的换代产品,三星Cdie使用了更新的光刻工艺,这也是其最大的亮点:以著名数学家布莱斯•帕斯卡为名的第一代10nm节点(1x/18nm),便在这款内存上迎来首秀。
更为先进的工艺技术,自然有希望带来更优秀的综合表现。然而,也正由于新一代制程的设计难度,三星在其中饱尝良率之苦。
三星在18nm节点遭遇良率问题的报道在这项工艺走向量产的2017年,正是DRAM颗粒供不应求的高峰。良率问题使其变本加厉,更为Cdie的表现蒙上了一层阴影。
三星在制程中遭遇的困难,也能从Cdie这奇特的性能中窥见一斑——与诸多玩家们的“经验”恰恰相反,Cdie颗粒的超频能力,并不会随着电压的增加而稳步提升!
一篇超频指南,特别提及了三星C-die的负电压缩放特性为了达到更高的频率,“增加电压”往往是爱好者们惯用的做法。DDR4的JEDEC标准电压为1.2V——而1.35V通常是XMP产品的标配。为了向更高的极限发起冲击,1.4V乃至超过1.5V的内存电压,已是玩家们心照不宣的秘籍。
一套电压高达1.6V的三星Bdie内存,图自NGA。据作者所述,这套内存已稳定运行了2年在20nm制程的三星Bdie中,“高耐压值”是资深玩家交口称赞的特点。这款颗粒能在高达1.6V的数值下稳定工作,甚至能承受短时间1.8V的惊人电压!其工作频率也随之不断攀升,近5Ghz的性能无不使发烧友们疯狂。
遗憾的是,换用18nm工艺后,三星Cdie没能继承这些优势——它的电压收益早在1.3V便宣告截止。倘若继续加压,内存的性能不升反降。
增至1.4V电压的后果,便是不断报错1.4V电压对提高上限毫无帮助。而当数值达到1.5V时,它甚至无法在3400Mhz CL24的参数下稳定工作!
维持在1.35V的标准电压,三星Cdie的表现差强人意:在单条16GB的双面内存上,它最终取得了3733Mhz的极限超频成绩,但此时不能通过TM5 ABOSLUT稳定性测试的考验。时序则是CL=18T,tRCD=22T,tRFC=600T。
即便牺牲了稳定性,这依然与前代产品B-die的表现相去甚远——后者可以轻松耐受1.5V电压,并能达成CL=14,tRFC<400T的惊人参数。
而若继续拉高频率,越过“锐龙”处理器的分频节点,三星Cdie也逐渐不堪重负。在频率达到3800Mhz时拒绝启动,这套内存的上限止步于此。
是的,更低的电压意味着更低的功耗,更少的发热或许是18nm制程的优势。但玩家们只会记住性能的强者,三星Cdie注定将消失在人们的记忆中。
使用Cdie的内存产品?
得益于“三星”品牌的号召力,除却海盗船“复仇者”LPX入门产品线外,它还被广泛应用在诸多内存当中。
3200C16时序的芝奇“皇家戟”/“幻光戟”内存,便有概率采用了这款颗粒。通过序列号中的“10C”字样,玩家可以将其辨别出来。
金士顿HyperX“骇客神条”内存——现已更名为“FURY”系列——也曾混用了此款颗粒。XMP参数为3200Mhz CL16 .1.35V,已然没有太多超频空间。
除此以外,它还被广泛配备在OEM领域:不少笔记本原装内存,正使用了三星C-Die。颗粒丝印上的“5WC”字样,便是最好的证明。
后记
总体来看,三星Cdie没能延续前辈的威名:奇特的电压缩放特性,令Cdie冲击高频的梦想化作泡影;良率问题困扰着三星,也多少影响了颗粒的时序压制能力。
在一些品牌的宣传中,总试图将“三星颗粒”与“顶尖性能”混为一谈。但从测试中也不难看出,不同的三星产品间相去甚远。对内存而言,“制程先进”并不总是意味着“性能强大”。
凭借Bdie颗粒一战成名,可是谁能料到,这也竟是三星性能的巅峰——整个世代的后继者们,再也没能延续Bdie的传奇。第四世代尾声之时,三星引以为傲的超频纪录易主;DDR5来临之际,这家品牌的产品更已不复过去的辉煌。
DDR4超频记录为7200Mhz,现由海力士DJR颗粒保持尽管凭借此前的积累,暂时还能维持王者的名号,但那“业界领先”的地位,已然受到前所未有的挑战。在行业技术的变革之中,属于“三星存储”的时代,是否已成过去式了呢?
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