德州仪器入局氮化镓快充市场！

前言

氮化镓芯片作为一种宽禁带半导体材料，具有高频率、高效率和高功率密度等优点，被广泛应用于大功率电子设备中。与传统的硅材料相比，氮化镓具有更高的电子饱和速度和击穿电场强度，因此更适合于高频率、大功率的应用场景。此外，氮化镓芯片还具有低导通电阻、低寄生效应和高温稳定性等特点，能够进一步提高电力电子设备的性能和可靠性。

现如今，氮化镓已被广泛应用在充电器产品中，大幅提升了我们日常的充电体验。其高频、高效的特性有效降低了充电器的体积。氮化镓开关管相较于传统硅MOS管有更低的导阻，更快的开关速度，可以有效降低发热，提升整机效率。

充电头网通过对智融的一款100W氮化镓快充方案的拆解，发现其中采用了德州仪器生产的一款GaN FET。这一发现揭示了德州仪器的GaN FET已经成功地应用于氮化镓快充适配器的设计中，接下来将会对德州仪器的这一款GaN 功率 FET进行一个详细讲解。

LMG3622

LMG3622 是德州仪器推出的一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET，适用于开关模式电源应用。LMG3622通过在8mmx5.3mm QFN 封装中集成功率 FET 和栅极驱动器，简化了设计并减少了元件数量。

LMG3622具备低静态电流和快速启动时间，支持转换器在轻负载条件下的高效率要求和突发模式运行。AUX静态电流为240μA，AUX待机静态电流仅为50μA，这意味着即使在待机模式下，器件也能保持低功耗状态，可以有效延长电池寿命、提高系统效率并减少能源浪费。

LMG3622的可编程导通压摆率提供了对电磁干扰（EMI）和振铃的有效控制，通过采用电流检测仿真技术，LMG3622相较于传统的电流检测电阻，能够显著降低功耗，并允许将低侧散热焊盘连接到冷却PCB的电源地，进一步提高了系统的效率和稳定性。

为了保护系统安全，该器件还集成了多种保护特性，包括欠压锁定（UVLO）、逐周期电流限制和过热保护。过热保护功能通过开漏FLT引脚实时报告，有效防止了器件过载而导致的损坏。

关于德州仪器(TI)

德州仪器（TI）（纳斯达克股票代码：TXN）是一家全球化的半导体公司，致力于设计、制造、测试和销售模拟和嵌入式处理芯片，用于工业、汽车、个人电子产品、通信设备和企业系统等市场。我们致力于通过半导体技术让电子产品更经济实用，创造一个更美好的世界。如今，每一代创新都建立在上一代创新的基础之上，使我们的技术变得更小巧、更快速、更可靠、更实惠，从而实现半导体在电子产品领域的广泛应用，这就是工程的进步。这正是我们数十年来乃至现在一直在做的事。

充电头网总结

LMG3622是德州仪器推出的650V 120mΩ GaN 功率 FET，适用于开关模式电源应用。通过高效FET和栅极驱动器的集成，可有效简化设计、减少元件数量。LMG3622具有低静态电流和快速启动时间，支持高效轻载运行，可编程导通压摆率控制电磁干扰和振铃，有效降低功耗，提高系统稳定性。同时具备多种保护特性，包括欠压锁定和过热保护，确保系统安全运行。

得益于氮化镓快速开关的优势，有效提高了充电器的开关频率，减小变压器体积，并降低器件的散热需求，从而显著缩小了充电器的体积，使充电器具备更大的输出功率，更多的输出接口，深受消费者的喜爱。

氮化镓市场已趋近成熟，德州仪器的入局无疑将为我们带来更加高效的氮化镓器件。随着技术的不断进步和市场需求的增长，我们可以期待着更多创新和改进。德州仪器作为一家全球化的半导体公司，技术底蕴深厚，相信其将为电子产品领域的发展带来新的产品，为我们提供更优质、更可靠的解决方案，助力氮化镓技术的进步和创新。