读写性能大幅提升：SK海力士宣布完成多堆栈176层4D闪存研发

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继美光后，SK海力士宣布完成了业内首款多堆栈176层4D闪存的研发，容量512Gb（64GB），TLC。SK海力士透露，闪存单元架构为CTF（电荷捕获），同时集成了PUC技术。

4D闪存是SK海力士自己的说法，此番的176层更是被称之为第三代，每片晶圆可以切割更多有效的闪存硅片。除了容量增加35%，闪存单元的读取速度也提升了20%，使用加速技术可使得传输速度加快33%到1.6Gbps。

SK海力士预计相关产品明年年中上市，目前主控厂商已经在测试样品，预计会在手机闪存领域首发，目标是70%的的读速提升和35%的写速提升，后续还会应用到消费级SSD和企业产品上。

另外，SK海力士已经表示，正在开发1Tb（128GB）容量的176层4D闪存。显然，今后手机可以在更紧凑的空间内做到大容量ROM空间了。