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全新横向架构扩展和CMOS布局:西部数据携手铠侠团队推出六代3D闪存技术

PC物语 02-22 18:52 关注

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日前,西部数据宣布,与铠侠联合研发第六代162层3D 闪存技术。双方通过在架构扩展和 CMOS 布局方面的创新,联合打造出新一代具备更高密度、更为先进的 3D 闪存技术,同时也象征了双方20年合作的又一里程碑。

全新横向架构扩展和CMOS布局:西部数据携手铠侠团队推出六代3D闪存技术

西部数据公司技术与战略总裁Siva Sivaram博士表示:“摩尔定律在当下的半导体行业发展中已达到物理壁垒,但其仍适用于闪存领域。在新一代技术中,我们与铠侠在纵向和横向扩展方面都引入了创新,让层数更少、体积更小的晶圆实现更大的容量,以满足用户对性能、可靠性和成本的需求。”

铠侠首席技术官Masaki Momodomi表示:“我们双方共同提供了全球30%以上的闪存存储,并始终坚持以低成本为客户提供具备卓越容量、性能和可靠性的解决方案。”

全新横向扩展技术——超越垂直扩展

全新横向架构扩展和CMOS布局:西部数据携手铠侠团队推出六代3D闪存技术

第六代 3D 闪存技术的横向单元阵列架构超越了传统八层交错式存储孔阵列,比第五代技术提高了约10%。相比于112层堆叠技术,这种横向扩展技术的创新,结合了162层堆叠式垂直存储器,能使晶圆尺寸减少40%左右,进而优化成本。

西部数据和铠侠团队还采用阵列 CMOS 电路布局和四路同时操作方案。程序性能比起上一代产品,提高近2.4倍,读取延迟降低约10%,I/O 性能也提高了约66%,使下一代接口能够更好适配更高的传输速率。

全新横向架构扩展和CMOS布局:西部数据携手铠侠团队推出六代3D闪存技术

总体的来说,相比于上一代产品,新 3D 闪存技术降低了单元成本,并使每个晶圆的制造位都增加了70%。

西部数据与铠侠将继续推动创新,预计将于ISSCC 2021展会期间的联合演示中,详细介绍相关技术。

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全部评论 (7)
liu瓣
0
02-23 08:13
中疯: 日美联手对抗三星入侵 1

后来被美国制裁,再加上扶持韩国,搞死了。韩国太跳的话,下场是一样的。[高兴]

liu瓣
0
02-23 08:12
中疯: 日美联手对抗三星入侵 1

日本以前是no.1

Tony9999
0
02-22 20:40
Renus: 希望不要有厂房水灾,火灾地震等。 1

国产的出来了,不用那么担心,他们也会抓安全生产嘀

llquan
0
02-22 19:49

美国看来已经提前进入日本擅长的领域,为将来吞并提前去布局了

乌里戈斯
0
02-22 19:48
Renus: 希望不要有厂房水灾,火灾地震等。 1

有国产厂商在,三星已经安全生产很久了,毕竟高端打不过,低端系列还是能解决装机问题的。

中疯
0
02-22 19:30

日美联手对抗三星入侵

Renus
0
02-22 19:17

希望不要有厂房水灾,火灾地震等。

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