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已经通电测试:Intel Xe显卡将集齐14mm、10nm、7nm三种工艺

2019-10-28 09:54:40 12点赞 8收藏 0评论 直达链接

在周五的财报会议上,Intel首次了透露了旗下高性能Xe独显的进度, CEO司睿博宣布DG1 GPU达成了一个重要里程碑。

与此同时,从AMD跳槽到Intel的图形及视觉技术市场总监Chris Hook也发了一条推——It's alive,直译起来意思是“它还活着”,但是这条推文实际上应该是暗示Intel的Xe GPU已经点亮测试了。

此前Intel高级副总Raja Koduri暗示明年6月份的台北电脑展上会发布Xe独显,但后面又有消息说还是2020年下半年发布,只不过明年何时发布,现在这个时间点都应该是流片验证了,因为大型芯片流片验证到发布通常需要一年左右的时间,Chris Hook的alive暗示DG1独显已经进入测试阶段了。

根据之前的爆料,Intel的DG1独显将基于Xe架构,不过这是一款LP低功耗方向的显卡,搭配GDDR6显存,定位在GTX 1050级别的,后者是NVIDIA Pascal架构的中低端显卡,浮点性能1.9TFLOPS左右。

考虑到Intel目前的Gen11核显的浮点性能已经达到了1TFLOPS以上,Xe架构会更先进一代,之前说是核显级的Gen12(也是Xe架构)性能再次翻倍,所以DG1达到2TFLOPS级别的性能应该没压力。

已经通电测试:Intel Xe显卡将集齐14mm、10nm、7nm三种工艺

不过DG1独显的工艺可能有点特殊,爆料显示是14nm工艺,而Intel之前的暗示都是说Xe独显使用10nm工艺的。

话说回来,DG1如果是定位在入门级独显市场,那么使用成熟、低成本而且高性能的14nm工艺实际上更合适,所以不排除Intel在Xe独显上使用14nm工艺作为中低端GPU的生产工艺。

当然,2021年的时候Intel还会生产7nm工艺的Xe显卡,不过这是给数据中心准备的高性能GPU,这样一来Intel的Xe显卡就集齐14mm、10nm、7nm三种工艺了。

已经通电测试:Intel Xe显卡将集齐14mm、10nm、7nm三种工艺

本文经快科技授权转载,原标题《传Intel Xe独显已亮机测试:14nm工艺 可战GTX 1050》,作者:宪瑞,未经允许请勿转载。

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