随着新能源技术的发展，大功率半导体器件需求增加，SiC MOSFET因其高效率、低损耗等优点，在高功率密度应用中优化性能。并联设计是解决单一器件限制的有效方案，但需注意器件间电流分配不均和寄生电感问题。SiC MOSFET作为第三代半导体材料，适用于高温、高频、大功率场景，要求驱动器具备高门极峰值输出电流、低传播延迟、双路输出端口等特性。